天津是采用乙酸酐先与羟乙基吡咯烷酮反应生成吡咯烷酮的乙酸酯,然后脱去一分子乙酸即得NVP.方法(3)是直接使羟乙基吡咯烷酮进行催化脱水反应生成NVP.三种方法各有利弊,(1)和(2)的优点是反应易于进行,转化率高,脱HCl,脱乙酸比脱水反应容易,但反应路线长，需加入另一种辅助原料,如SOCl,HCl或AczO,增大了成本及设备投资,且SOCl2,HCI分别有剧毒性及腐蚀性,易带来环境污染问题和设备腐蚀问题等.
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天津催化剂,它能使羟乙基吡咯烷酮转化率达到88.6%,NVP选择性高达92.6%,a-吡咯烷酮选择性为5.6%(日本专利报道结果).评价一种催化剂性能优劣时,除了考察活性、选择性、稳定性之外,重复性也不容忽视.遗憾的是当我们采用ZrO。催化羟乙基吡咯烷酮脱水时,在与日本专利相同的反应条件下反应转化率虽然达到84.7%,但NVP选择性仅为71.0%,与日本专利报道数据相差较大.除上述金属氧化物及固体酸催化剂外,
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天津在65~90℃下常压蒸馏出溶剂苯,在0.09MPa真空度下减压蒸馏出产物NVP,未反应的氯乙基吡咯烷酮返回再进行反应.作者的大量研究结果表明,使用醇钠(甲醇钠、乙醇钠等)作为氯乙基吡咯烷酮消除反应的催化剂效果明显比使用KOH效果好,而且醇钠的用量远远小于KOH,这可能是因为KOH与氯乙基吡咯烷酮反应除生成KCl,还有副产物H,O,不利于反应的顺利进行.而使用醇钠时生成的副产物醇对反应影响比HO小,一是因为产生醇的量比HO少,
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天津因而提高了主反应速率和NVP选择性.此类助催化剂不仅能显著加快反应速度,使反应在温和条件下高转化率地进行,而且能有效抑制聚合副反应的发生,从而得到较高的NVP收率.不足之处在于助催化剂加入量较大,一般为KOH的2~4倍.其次,这一类助催化剂价格相对较高,而且并不能完全阻止聚合副反应的发生(聚合副产物产率一般为4.5%~6.5%),这仍然会带来下游工序中产物分离上的困难.由于不挥发性聚合物的生成,必须采用两个蒸馏塔将目标产物NVP分别与未反应的原料2-吡咯烷酮及聚合副产物加以分离.此外
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天津MSi,x,Oa催化剂可采用下列常规方法来制备.(1）将碱(碱土)金属盐及硅源溶解或悬浮于水中,加热搅拌该混合物使之浓缩至干,然后经干燥﹑焙烧即可.(2）先将碱金属或碱土金属化合物溶解于水中,然后用该溶液浸渍模制氧化硅,然后蒸发至干,经干燥﹑焙烧而得.(3）先将碱金属或碱土金属化合物溶解于水中,然后加入硅酸盐或有机硅酸盐,再进行混合、浓缩、干燥﹑焙烧而得.(4〉先通过离子交换法将碱金属或碱土金属引入分子筛骨架,然后经干燥、焙烧而得.在催化剂制备过程中,
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天津使得生成NVP的选择性很高.显而易见,MSi,x,O,是一类性能优良且极具工业化前景的催化剂,有必要对此类催化剂进行深入研究和中试放大试验.N-乙烯基吡咯烷酮单体在工业上并没有实际应用价值,只有将NVP聚合或者共聚为具有一定结构、一定组成和一定分子量的高分子化合物之后,才能在工业上应用.也就是说,工业上能够实际应用的是PVP以及NVP与其他不饱和单体共聚而成的共聚物.实际上.
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天津吡咯烷酮法中的原料吡咯烷酮是由y-丁内酯与无水氨反应制得,而直接脱水法和间接脱水法都是以Y-丁内酯为起始原料的.由此可见，在NVP的合成中,顺酐和十-丁内酯作为合成反应的原料占据着不可替代的地位.NVP与N-甲基吡咯烷酮的结构有相似的地方,都属于吡咯烷酮类物质,其制备方法也有相通之处,由此可以预见，-步法制NVP不仅是合成PVP的单体,而且是一种具有重要用途的化合物.
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天津又可分为卤代法、乙酐法等.先是羟乙基吡咯烷酮在溶剂苯中与SOCl,发生卤代反应生成氯乙基吡咯烷酮,然后用KOH或甲醇钠作催化剂脱去一分子氯化氢生成NVP,反应的实施过程如下:(1)NHP和苯按重量比1:0.5~0.8加人三颈烧瓶中,再把烧瓶置于加有冰块的超级恒水浴中,边搅拌,边由滴液漏斗滴加入重量为NHPO.83倍的SOCl,控制速度使体系温度不大于35℃为宜(因为羟乙基吡咯烷酮与SOCl。
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天津除上述方法外,也有以丙酮为溶剂,把氯乙基吡咯烷酮转化为季胺盐,然后用氧化银处理季胺盐的甲醇溶液,再经过蒸馏得到NVP,收率达82%[5].对于以上所讨论的PVP单体NVP的合成方法,除乙炔法比较成熟外,其他的方法,包括Y丁内酯法在内,都处在进一步的研究中,都有待于取得进--步的突破.以Y-丁内酯-直接脱水法为例，理想的脱水催化剂的成功开发将是这---方法能否顺利大规模工业化生产的关键.
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天津是采用乙酸酐先与羟乙基吡咯烷酮反应生成吡咯烷酮的乙酸酯,然后脱去一分子乙酸即得NVP.方法(3)是直接使羟乙基吡咯烷酮进行催化脱水反应生成NVP.三种方法各有利弊,(1)和(2)的优点是反应易于进行,转化率高,脱HCl,脱乙酸比脱水反应容易,但反应路线长，需加入另一种辅助原料,如SOCl,HCl或AczO,增大了成本及设备投资,且SOCl2,HCI分别有剧毒性及腐蚀性,易带来环境污染问题和设备腐蚀问题等.
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